AGD Audion MkIII
Filosofía del diseño
El monobloque «THE AUDION» utiliza la exclusiva tecnología GaNTube™ con una etapa de potencia basada en MOSFET de nitruro de galio, totalmente encerrada en un tubo de vidrio. Los MOSFETS de potencia de nitruro de galio son la ventaja de diseño de tecnología exclusiva de AGD Productions, y son la clave del rendimiento de nivel de referencia de todos los amplificadores AGD. Con la capacidad sin fisuras de conducir cualquier carga, «THE AUDION» puede ofrecer una experiencia sónica inigualable que sólo los diseños SET han sido capaces de proporcionar hasta ahora.
Ahora, con una capacidad de potencia de 200 W, una tasa de variación de voltaje mejorada y una reserva de condensadores de calidad de audio de 30.000 µF, «THE AUDION» MkIII es el único capaz de sostener los golpes de graves más rotundos a la vez que ofrece el contenido armónico más fino de cualquier conjunto vocal y de instrumentos musicales.
Fabricado en una carcasa minimalista ultracompacta de aluminio macizo, «THE AUDION» dispone de una entrada de terminal único y una entrada XLR totalmente balanceada (40 kohmios de serie y 600 ohmios bajo pedido), lo que permite una combinación perfecta con cualquier unidad de fuente directa (DAC) o preamplificador del mercado.
Los amplificadores monobloque AGD «THE AUDION» MkIII están construidos en torno a la misma etapa de potencia de salida utilizada en la AGD Vivace.
Para lograr las más altas prestaciones en la reproducción de audio, el monobloque AGD «THE AUDION» emplea la misma tecnología fundamental de la que fue pionero el diseño de la AGD Vivace. Al igual que en la AGD Vivace, también en el diseño de AGD «THE AUDION» MkIII hemos sido capaces de lograr formas de onda de conmutación casi ideales, completamente libres de oscilaciones.
De este modo, se preserva el contenido armónico presente en la señal de entrada original y se evita la superposición de cualquier artefacto adicional que altere el espectro global y la espacialidad de la reproducción musical.
Los MOSFET de potencia de nitruro de galio utilizados en la etapa de potencia GaNTubeKT88MkIII simplifican este reto gracias a su capacidad para conmutar eficientemente a velocidades de giro mucho más altas que cualquier MOSFET de potencia basado en silicio, con un comportamiento casi perfecto (similar al de un libro) y una conmutación sin oscilaciones.
- La etapa de potencia más avanzada en audio de gama alta.
- Etapa de potencia basada en MOSFET de nitruro de galio.
- Totalmente integrada en un tubo de vidrio (toma octal)
- Ancho de banda ampliado (±0,5db 0-50KHz)
- 200W, 4ohm (>30A de capacidad de corriente máxima).
- 800KHz PWM (GaNTubeKT88 MKII)
- Impedancia de entrada de 40kOhm.
- Suelo de ruido <-140db.
Características principales:
- Módulo de entrada de alimentación
- Portafusibles
- Selector de tensión de entrada
- Interruptor ON-OFF
- TERMINAL POSITIVO DE SALIDA DE ALTAVOZ
- TERMINAL NEGATIVO DE SALIDA DE ALTAVOZ
- Conmutador selector de entrada analógica
- Entrada analógica RCA Single-ended
- XLR Entrada analógica balanceada
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Potencia máxima de salida a 0,1% THD+N, 1KHz, 4Ω.
200W - THD+N 10W/1KHz
<0.005% - Potencia de salida al 0,01% THD+N, 20Hz÷20KHz, 8Ω
100W - Ancho de banda ±0,5db
0Hz÷50KHz - Impedancia de entrada
40 kohmios (600 ohmios bajo pedido) - Eficiencia
>94% - Suelo de ruido (100mVRMS Entrada XLR)
-140db - GaNTubeKT88 MkIII Frecuencia PWM
800kHz std. - Dimensiones
7.5×5.5×7.5 - Peso
5lbs (2.5kg) - Voltaje de entrada
110-240V (seleccionable por el usuario)









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