AGD Duet
Filosofía del diseño
El amplificador monobloque AGD DUET es la última incorporación a nuestra familia de amplificadores de potencia Hi-End de última generación.
El AGD DUET es nuestro primer amplificador monobloque compacto que utiliza un diseño MOSFET de potencia 100% de nitruro de galio tanto para la etapa de potencia de salida como para la fuente de alimentación.
El AGD DUET tiene una potencia nominal de 300W 4Ω Para lograr estas prestaciones en una carcasa mecanizada CNC tan compacta (disponible totalmente pulida o anodizada en negro), hemos diseñado una nueva fuente de alimentación utilizando el MOSFET de GaN de alta tensión más avanzado disponible actualmente en el mercado.
Para el AGD DUET también hemos diseñado una nueva placa base con raíles de alimentación lineales de bajo ruido y una etapa de búfer analógica superlativa basada en op amps AD797.
Para mantener con el tiempo todo el valor del producto, característica clave de todos los amplificadores AGD, el módulo de etapa de potencia basado en GaN utilizado en el AGD «DUET» es totalmente actualizable a módulos de potencia GaN de próxima generación con nuevos dispositivos MOSFET GaN de prestaciones avanzadas.
AGD «DUET» GaN-Sound Power Monoblock
El AGD DUET MONOBLOCK utiliza la misma tecnología fundamental de la que fueron pioneros los AGD Gran Vivace, AGD TEMPO, AGD AUDION, los primeros amplificadores Hi-End basados en MOSFET de potencia de nitruro de galio.
Con el AGD DUET, hemos extendido el uso del semiconductor de potencia más avanzado, el MOSFET de GaN, también a la etapa de alimentación, lo que permite aumentar la potencia de salida y la eficiencia.
La NUEVA etapa de salida GaN-Power, basada en un nuevo conjunto de MOSFETs GaN discretos de alto voltaje, puede funcionar hasta 800 kHz y a elevadas slew-rates ofreciendo el sonido más sublime gracias a sus prestaciones de conmutación sin oscilaciones «de libro».
El nuevo módulo GaN-Sound de AGD
Además, con el DUET de AGD hemos conservado la característica fundamental clave del módulo de potencia GaNSound actualizable.
Se trata de una característica clave que AGD ha mantenido en todos los diseños de amplificadores, desde el Audion hasta el Gran Vivace, el Tempo y ahora el DUET.
En AGD creemos firmemente que los clientes tienen derecho a mantener el valor de su inversión, por lo que ofrecemos la posibilidad de actualizar el módulo de la etapa de salida GaN en el momento en que un nuevo dispositivo MOSFET GaN ofrezca una mejora tecnológica y de rendimiento.
La tecnología GaN en semiconductores de potencia sólo tiene 10 años, frente a los 60 años de evolución de la tecnología de silicio. Por lo tanto, los nuevos MOSFET GaN mejorados ofrecerán un mayor rendimiento acústico mediante un módulo actualizado en forma de un nuevo GaNTube o, como en el DUET y el TEMPO, con una tarjeta hija dedicada, fácil de conectar.
La nueva placa base AGD DUET
La nueva placa base AGD DUET es una PCB de 4 capas diseñada con la máxima atención para minimizar el ruido con un control óptimo del enrutamiento de las conexiones.
Con trazas de cobre extra grandes (2 oz), la nueva placa presenta una trayectoria resistiva y una inductancia de dispersión ultrabajas perfectas.
La placa principal AGD DUET está diseñada para alojar una gran pila de condensadores (hasta 30.000µF), un vehículo clave para soportar la demanda más dinámica y actual con cargas difíciles.
El módulo «GaNSound» de AGD es fácilmente extraíble para futuras actualizaciones y cuenta con un disipador de calor de cobre adicional para mantener la temperatura más estable durante el funcionamiento.
La nueva fuente de alimentación AGD DUET basada en GaN
Al adoptar un nuevo y avanzado MOSFET de potencia de GaN de alto voltaje, que sustituye a la tecnología Cool-MOS de silicio estándar del diseño de la generación anterior, la nueva fuente de alimentación ha conseguido un nivel de ruido cada vez más bajo y una eficiencia cada vez mayor que el diseño de la generación anterior.
El nuevo diseño de la fuente de alimentación también ha duplicado el tamaño de los condensadores frontales y ha mejorado la sección de filtro de RF. El tamaño total de la batería de condensadores permite una corriente de pico máxima de hasta 50 A para la etapa de potencia de GaN de salida.
Todas las mejoras incrementales implementadas en este nuevo diseño avanzado han contribuido de forma muy significativa a la musicalidad general de la AGD DUET.
Vista frontal lateral La nueva carcasa AGD DUET
Todos los elementos que componen la carcasa AGD DUET están mecanizados al 100% mediante CNC y están pensados para ofrecer la mayor solidez y compacidad a los audiófilos que buscan obtener un sonido superior con la tecnología más avanzada del mercado actual y, al mismo tiempo, «reducir» el tamaño y el peso de los amplificadores.
Las patas son de forma cónica y se incluye un juego de discos metálicos específicos.
AGD DUET está disponible en anodizado negro y pulido espejo plateado.
Vista posterior
La configuración del panel trasero del AGD DUET ofrece un fácil acceso tanto a los conectores de entrada balanceada como a los de entrada simple.
Las entradas (completamente independientes) se pueden seleccionar mediante un conmutador de palanca.
Dos juegos de bornes de cobre WBT superresistentes.
Las conexiones para la entrada de disparo remoto (12 V) completan la configuración del panel trasero.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Salida nominal, 20Hz÷20KHz, 4Ω
300W - THD+N 10W/1KHz
<0.005% - Potencia máxima de salida a 0,1% THD+N, 1KHz, 8Ω
150W - Ancho de banda de audio ±0,5 dB
20Hz-20KHz - Ancho de banda ±3dB
5Hz-80KHz - Impedancia de entrada
40kOhm (600Ohm bajo pedido) - Frecuencia PWM del módulo de alimentación GaN
~800kHz - Dimensiones
10×5.6×4.0in (254x142x100mm) - Peso
8.25lbs (3.75kg) - Voltaje de entrada
110-240V (Auto-Switch)











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